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全球領先的連接和電源解決方案供應商Qorvo和半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 宣布，他們已經完成了一項多年碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協議。    

該協議將促進國內半導體供應鏈的彈性和更大的能力，以支持對先進碳化硅解決方案快速增長的需求，特別是在汽車市場。隨著客戶采用 Qorvo 行業領先的第 4 代 SiC FET 解決方案，該協議還將為最終用戶客戶提供一定程度的保護和信心。    

與傳統硅相比，SiC 器件在處理高功率和導熱方面更有效。當用于電動汽車 (EV) 系統組件時，可以更有效地將電能從電池傳輸到電機，從而將 EV 的行駛里程增加 5% 至 10%。    

在2021年，射頻解決方案的領先供應商Qorvo宣布，公司已收購位于新澤西州普林斯頓的 United SiliconCarbide (UnitedSiC)，一家領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商。據介紹，收購 United Silicon Carbide 將 Qorvo 的影響力擴大到快速增長的電動汽車 (EV)、工業電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源市場。    

據報道，在收購之后，UnitedSilicon Carbide 將成為 Qorvo 基礎設施和國防產品 (IDP) 業務的一部分，由 Chris Dries 博士領導，Chris Dries 博士曾任 United Silicon Carbide 總裁兼首席執行官，現在是 Qorvo 功率器件解決方案的總經理。    

時任Qorvo IDP 總裁Philip Chesley 表示：“UnitedSiC加入我們的 IDP 事業部，顯著擴大了我們在高功率應用領域的市場機會。此次收購使 Qorvo 能夠提供高價值、一流的智能電源解決方案，涵蓋電源轉換、運動控制和電路保護應用。”    

Dries 博士表示：“作為 Qorvo 的一部分，我們的團隊很高興能夠擴展我們的 SiC 產品組合，并繼續以速度和規模構建業務，努力通過業界最高性能的設備加速 SiC 的采用。我們的 SiC 技術，加上 Qorvo 互補的可編程電源管理產品和世界一流的供應鏈能力，使我們能夠在高級應用中提供卓越的電源效率水平。”    

當時新聞稿指出，United Silicon Carbide 的產品組合現在涵蓋 80 多種 SiC FET、JFET 和肖特基二極管器件。基于獨特的共源共柵配置，最近發布的第 4 代 SiC FET 的額定電壓為行業領先的 750V 和 5.9 毫歐RDS(on)，實現了對 EV 充電器、DC-DC 轉換器和牽引驅動器至關重要的 SiC 效率和性能的新水平，以及電信/服務器電源、變速電機驅動器和太陽能光伏 (PV) 逆變器。

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