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MOS管做電源開關(guān)有哪些相關(guān)技巧?
發(fā)布時間:2022-11-16 閱讀量:1486 來源:我愛方案網(wǎng)整理 作者:我愛方案網(wǎng)

MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。一般的電源開關(guān)電路,控制電源的目的是省電,控制靜態(tài)電流。不過以下的電路存在著幾個缺點:

 

1.管壓降較大

 

我們知道采用PNP管子作為開關(guān)管的飽和壓降在00.3V,這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V,某些1.5V的電源變成1.2V,這會導(dǎo)致由此供電的芯片損壞。

 

PMOS的管子壓降為Vdrop=Id×RdsonRdson可選擇,實際的值在1歐以內(nèi)。

 

2.制電流

 

我們知道Ib和Ic是相關(guān)的,飽和放大系數(shù)一般的設(shè)計為30,因此我們通過200mA的電流的時候,Ib=200/30=7mA,這樣導(dǎo)致了控制電路功耗較大。

 

3.關(guān)管功耗

 

我們知道三極管的功耗計算公式為Pd=Veb×Ib+Vec×Ic,Vec飽和時00.3V的條件下,當通過電流較大的時候,開關(guān)管的功耗就很大。

 

比較而言,PMOS的導(dǎo)通電阻Rdson較?。ㄒ部蛇x擇),P=Rdson×Id^2。

 

PMOS高壓電路設(shè)計(12V)電路

 

對比PNP電路設(shè)計

 

低壓開關(guān)(NMOS)【5V,3.3V1.5V

 

NMOS導(dǎo)通關(guān)閉條件:

 

這里使用PNP管直接使NM OSGVin導(dǎo)通,這樣NMOS才可以完全導(dǎo)通,要是不能使Vin完全和NMOSG完全接通,就使用最上面的PMOS的方案,如果接成如下的情況: 

   

MOS管做電源開關(guān)有哪些相關(guān)技巧

 

結(jié)果 

 

當Photo Control為高定平,9014導(dǎo)通,640斷開。當Photo Control為低電平,9014斷開,640導(dǎo)通,可此時640ds3~4V的壓降,本意DC=VBAT(8V)  ,現(xiàn)在DC只有3點幾伏電壓;

 

原因:

 

NPN+PMOS才做電源控制,這是NPN+NMOS,R21直接換成0歐就通了,只不過沒有控制什么事了。

 

還有NMOS的襯底一般做出來的時候是和源極接在一起的,開機NMOS需控制電壓(相對襯底)大于開啟電壓,這樣接襯底完全懸空了,現(xiàn)在的電路無論怎么控制都達不到要求,電路本身設(shè)計就錯了,NMOS一般是做低輸出的,PMOS才是高輸出電路,這個性質(zhì)和三極管的NPNPNP差不多的。TTL中用三極管,TTL能驅(qū)動MOS,MOS不能驅(qū)動TTL

 

關(guān)于我愛方案網(wǎng)

 

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