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隨著嵌入式行業的快速發展，ARM核心板、ARM工控板得到越來越廣泛的應用。ARM核心板將主控制器（MPU）、內存、存儲、電源管理等關鍵器件打包成的一個最小系統，完善的操作系統及驅動可以極大縮短項目開發周期。本文將簡單闡述如何正確選擇合適的存儲類型。
當前ARM核心板所用到的存儲（電子硬盤）大體分為兩類：Nand flash和eMMC。Nand flash存儲器是flash存儲器的一種，使用復雜的I/O口來串行地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同 ，一般是8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
eMMC 本質上還是Nand flash ，eMMC=Nand flash +閃存控制芯片+標準接口封裝，其內部集成的閃存控制器具有讀寫協議、擦寫均衡、壞塊管理、ECC校驗、電源管理、時鐘管理、數據存取等功能，極大降低了Nand-flash的使用難度。
一般來講，當主控制性能較低時（如ARM9、Cortex-A7），其所搭配的存儲容量也較低，在256M、512M時通常選擇Nand flash。當主控制性能較高時（如Cortex-A9、Cortex-A53），其所搭配的存儲容量也較高，在4GB、8GB甚至32GB時eMMC將更具性價比。
NAND Flash與eMMC
只知道Nand flash和eMMC之間的簡單區別，還不足以選擇好存儲，接下來我們看一下Nand flash閃存顆粒對性能、安全及價格方面的影響。
Nand flash閃存顆粒主要包括四種類型：SLC、MLC、TLC、QLC。
第一代SLC（Single-Level Cell）每單元可存儲1比特數據(1bit/cell)，性能好、壽命長，可經受10萬次編程/擦寫循環，但容量低、成本高，市場上用的比較少；
第二代MLC（Multi-Level Cell）每單元可存儲2比特數據(2bits/cell)，性能、壽命、容量、成各方面比較均衡，可經受1萬次編程/擦寫循環，目前主流的核心板廠商大都配置該類型的存儲；
第三代TLC（Trinary-Level Cell）每單元可存儲3比特數據(3bits/cell)，性能、壽命變差，只能經受3千次編程/擦寫循環，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，大多數固態硬盤的選擇；
第四代QLC（Quad-Level Cell）每單元可存儲4比特數據(4bits/cell)，性能、壽命進一步變差，只能經受1000次編程/擦寫循環，但是容量更容易提升，成本也繼續降低。
SLC、MLC、TLC、QLC存儲圖示
綜合以上情況，若是用于一般性工業或商業應用的ARM核心板，搭載性價比較高的MLC NAND即可；若項目對數據、系統的要求極高，則需要選擇SLC存儲方案的ARM核心板，最大程度的降低因存儲導致的系統崩潰或關鍵數據丟失。
方案介紹
支持單芯片和通用MCU的智能家居載波墻壁開關
1.方案介紹：
該方案采用MKL05帶觸摸功能的MCU，實現了在智能家居面板觸摸檢測的功能，節省板子空間并降低了方案成本。
基于窄帶載波解決方案，采用了是我司代理的nxp的M0+內核mcu。
主要采用了MKL05內部的UART以及TOUCH，以及timer，GPIO等功能單元。
2.主要功能和性能參數：
a、支持單芯片實現觸摸功能和通用MCU
b、小的封裝體積
c、與現有PLC實現uart互通
3.方案應用細分市場：
a、智能電網
框圖：
基于新唐ML51開發的電池管理系統（BMS）—超低功耗MCU+AFE方案
方案簡介
1：基于ML51開發的電池管理系統（BMS）方案，是電池與用戶之間的紐帶，主要就是為了提高電池的利用率，防止電池出現過度充電和過度放電。
2：系統特性
?ML51是性能增強型 1T 8051微控制器，內嵌Flash，運行速度可達24 MHz
?5至14節高精度電池電壓測量功能
?充放電電流測量功能
?短路保護功能
?內置電池平衡開關
?外部充放電FET控制
?雙通道溫度檢測
?過壓保護功能
性能參數
行業分類 : 電源電池
開發平臺 : Nuvoton 新唐
交付形式 : PCBA
性能參數 : 運行速度 : 24 MHz
應用場景 : BMS 電池保護板
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